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IRF7506TRPBF中文资料

IRF7506TRPBF图片

IRF7506TRPBF外观图

  • 大小:210.2KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: TRANSISTOR, MOSFET; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:1.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MicroSOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-1.7A; Package / Case:MicroSOIC; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫欧 @ 1.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:180pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • 供应商设备封装:Micro8?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF7506TRPBF-NDIRF7506TRPBFTR

IRF7506TRPBF供应商

更新时间:2023-01-03 08:24:22
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